RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
74
Rund um -236% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3036
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link