RAM-Vergleich Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 74

Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

9.5 4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.7 2,201.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 6400

Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

508 1949

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns