RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
74
Rund um -270% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3395
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link