RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
74
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2175
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link