RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
74
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2974
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link