RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
74
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2197
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link