RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424016 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424016 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2035
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link