RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
74
Rund um -174% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3628
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link