RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
74
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2298
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link