RAM-Vergleich Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 14.7

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,201.1 10.7

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 74

Rund um -147% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

23400 6400

Rund um 3.66 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

508 2935

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns