RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3109
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link