Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 17.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 68
    Rund um -143% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 1,702.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 5300
    Rund um 4.83 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,886.6 left arrow 17.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,702.6 left arrow 15.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    654 left arrow 3673
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche