RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
68
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
15.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
3673
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link