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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
68
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
4,402.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
2,013.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
701
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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