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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
64
Rund um -167% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
2850
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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