RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
64
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
2306
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link