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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
64
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
64
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
14.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
3327
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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