Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 61
    Rund um -144% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    6.3 left arrow 1,903.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    61 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,668.9 left arrow 13.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,903.1 left arrow 6.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    735 left arrow 1617
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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