RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
50
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
3146
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link