RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
50
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
3217
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link