RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
50
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2196
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link