RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
50
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2488
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link