RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
50
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
8.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2414
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391B2873EH1-CF8 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link