RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
50
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2512
2191
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link