RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
37
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
9.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2422
2437
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link