RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
37
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
10.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2389
2892
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link