RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.5
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2767
3114
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
UMAX Technology 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link