RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
46
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2660
2773
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link