RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
61
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
2025
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link