Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB

Unterschiede

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
    Rund um 1.11% höhere Bandbreite
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 39
    Rund um -3% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.5 left arrow 9.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2264 left arrow 2073
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche