RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2847
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link