RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
38
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3138
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link