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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
38
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2706
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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