RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3495
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link