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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
38
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.8
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2750
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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