RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3562
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link