RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
38
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2882
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link