RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3609
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link