RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
38
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2901
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link