Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Unterschiede

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 14.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 8.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    25 left arrow 38
    Rund um -52% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 25
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 14.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 8.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2283 left arrow 2542
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RAM 1
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