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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
62
Rund um 39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
9.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
1772
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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