RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
38
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
6.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2168
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link