RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KC5N22-MIE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2805
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link