RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2979
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link