RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3146
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link