RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2962
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link