RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
47
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2537
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link