Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Gesamtnote
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

Unterschiede

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    38 left arrow 53
    Rund um 28% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 10.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 8.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
    Rund um 1.51% höhere Bandbreite
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 53
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.5 left arrow 10.4
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 8.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2283 left arrow 2285
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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