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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
11.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3141
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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