RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3343
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link