RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3082
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Smart Modular SH564568FH8N6PHSFG 2GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link